分析测试报告 |
一次时效500℃-0.25h的显微组织 |
Microstructure of one-time aging at 500℃-0.25h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
一次时效500℃-0.5h的显微组织 |
Microstructure of one-time aging at 500℃-0.5h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
一次时效500℃-1min的显微组织 |
Microstructure of one-time aging at 500℃-1min |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
一次时效500℃-5min的显微组织 |
Microstructure of one-time aging at 500℃-5min |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
一次时效500℃-24h的显微组织 |
Microstructure of one-time aging at 500℃-24h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
一次时效450℃-24h的显微组织 |
Microstructure of one-time aging at 450℃-24h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
二次时效500℃-0.25h+400℃-0.25h的显微组织 |
Microstructure of secondary aging at 500℃-0.25h+400℃-0.25h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
二次时效500℃-0.25h+400℃-2h的显微组织 |
Microstructure of secondary aging at 500℃-0.25h+400℃-2h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
二次时效500℃-0.25h+400℃-12h的显微组织 |
Microstructure of secondary aging at 500℃-0.25h+400℃-12h |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |
分析测试报告 |
500℃-0.25h+400℃-12h+拉伸的显微组织 |
Microstructure after secondary aging at 500℃-0.25 h+400℃-12 h. |
高端集成电路关键材料Cu-Ni-Si合金带材短流程低成本生产关键技术开发与应用 |
2023-04-03 |