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名称 : 沉积能量和C2H2掺杂对高PIMS沉积硬质ta-C涂层的影响
发表日期 : 2024-01-22
摘要 :

研究了用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)在硬质合金表面沉积四面体非晶碳涂层(ta-C)。ta-C涂层的粘附和摩擦性能受到切削工具和耐磨零件领域中使用的沉积参数的显著影响,通常受到指向生长的涂层和结构的沉积能量的影响。结果表明,基于频率和偏置电压调整ta-C涂层的沉积能量可以提高阴极电位降区域的电场强度,从而获得更高能量的电子,这进一步促进了冲击阴极靶的气体离子和发射的二次电子数量的增加,并显著降低了ta-C涂层表面大颗粒的数量和尺寸。在此基础上,C2H2掺杂可以有效地提高ta-C涂层的沉积速率、结构、硬度、附着力和耐磨性。当C2H2流量为15sccm时,ta-C厚度为872.3nm,sp3键结合率为70.19%,附着力为21.2N,硬度为43.6GPa,摩擦系数可降至0.109,同时涂层表面均匀致密。

网址 : 10.1016/j.diamond.2024.110854
领域 : 表面工程科学
出版公司 : ELSEVIER
出版国家 : NL
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重点项目名称 : 新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2)
项目所属数据集 : 2019YFE0123900-004数据集

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