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名称 : Structure, luminescence and energy transfer in Ce3+ and Mn2+ codoped γ-AlON phosphors
发表日期 : 2019-01-04
摘要 :

Mn2+掺杂γ-AlON是一种窄带绿色荧光粉,可用于宽色域的液晶显示器(LCDs)中的白光LED背光源中。然而,3d5在Mn2+中的自旋禁阻跃迁导致了吸收率相当低,γ-AlON:Mn2+因此具有较小的外量子效率。除了Eu2+,Ce3+是另一种很有前途的敏化剂,有望通过独特的能量转移过程改善Mn2+的发射。本文采用气压烧结法,在0.5 MPa 氮气气氛下,在1800℃下烧结2h,合成了一系列Ce3+-Mn2+共掺杂γ-AlON荧光粉 。Rietveld精细分析表明,Al原子占据8a和16d位,而共掺Ce3+和Mn2+离子仅在四面体位取代8a Al原子。27Al固态NMR谱进一步证实了AlO4和AlO6位点分别在71.4和0 ppm处的化学位移。测量的PL、CL和衰变时间证明,Ce3+和Mn2+离子之间发生了快速的能量转移。γ-AlON中从Ce3+到Mn2+的能量转移机制为四极-四极相互作用,计算出临界距离为15.97Å。在紫外光或蓝光激发下,由于Ce3+和Mn2+离子的能量转移和低掺杂浓度,共掺杂γ-AlON荧光粉比掺杂Mn2+的γ-AlON荧光粉具有更高的发光强度、量子效率和热稳定性。同时,在310 nm激发下,吸收、内量子效率和外量子效率分别提高了60.2%、61.3%和36.9%。

网址 : https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/TC/C8TC05430D
领域 : 大功率激光照明
出版公司 : Royal Society of Chemistry
出版国家 : GB
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重点项目名称 : 第三代半导体核心配套材料-第三代半导体高能量密度光源用新型荧光材料及制备技术数据集

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