名称 : 不同电流密度下芯片、LSN和YAG光效衰减
英文名称 : Chip, LSN and YAG light attenuation
材料 : 1061
委托单位 : 有研稀土新材料股份有限公司
实验单位 : 广东金鉴实验室科技有限公司
实验方法 : 光电参数测试
实验设备 : 光谱辐射计
实验条件 : 电流密度20 A/cm2-100/20
说明 : 扣除蓝光芯片后，激发电流密度由20 A/cm2升至100 A/cm2时，氮化物黄粉LSN:Ce衰减5.3%，商用同波段铝酸盐黄粉YAG:Ce衰减14%，经计算，氮化物黄粉LSN:Ce比现有材料YAG:Ce的光效衰减幅度减少61.9%；氮化物黄粉LSN:Ce（小粒度）衰减8.1%，商用同波段铝酸盐黄粉YAG:Ce衰减23.2%，经计算，氮化物黄粉LSN:Ce（小粒度）比现有材料YAG:Ce（小粒度）的光效衰减幅度减少65.1%。
英文说明 : After deducting the blue chip, when the excitation current density increases from 20 A / cm2 to 100 a / cm2, the attenuation of nitride yellow powder LSN: CE is 5.3%, and the attenuation of commercial same band aluminate yellow powder YAG: CE is 14%. After calculation, the attenuation amplitude of nitride yellow powder LSN: CE is 61.9% lower than that of existing material YAG: CE; The attenuation of nitride yellow powder LSN: Ce (small particle size) is 8.1%, and the attenuation of commercial same band aluminate yellow powder YAG: CE is 23.2%. After calculation, the attenuation range of light effect of nitride yellow powder LSN: Ce (small particle size) is 65.1% lower than that of existing material YAG: Ce (small particle size).
数据来源 : 分析测试报告
重点项目名称 : 第三代半导体核心配套材料-第三代半导体高能量密度光源用新型荧光材料及制备技术数据集
