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名称 : 光饱和阈值变化
英文名称 : light saturation threshold change
材料 : 1061
委托单位 : 有研稀土新材料股份有限公司
实验单位 : 扬州吉新光电有限公司
实验方法 : 光谱
实验设备 : 光谱仪
实验条件 : 不同能量激光辐照下
说明 :

课题组选用Al-N取代Si-N方法研究影响LSN:Ce光效衰减和发光饱和的机理，图24为La2.86Si5.9Al0.1N10.97:0.14Ce3+样品在蓝光不同能量激光辐照下光强变化情况，结果表明，掺杂Al3+后样品的发光饱和阈值为6W/mm2，远远低于前述未掺杂的LSN:Ce的9.5W/mm2发光饱和阈值。

英文说明 :

The research group selected Al-N instead of Si-N to study the mechanism affecting the light effect attenuation and luminescence saturation of LSN: CE. Fig. 24 shows the change of light intensity of la2.86si5.9al0.1n10.97:0.14ce3 + sample irradiated by blue laser with different energy. The results show that the luminescence saturation threshold of the sample doped with Al3 + is 6W / mm2, which is far lower than the 9.5w/mm2 luminescence saturation threshold of the above undoped LSN: CE.

数据来源 : 分析测试报告
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重点项目名称 : 第三代半导体核心配套材料-第三代半导体高能量密度光源用新型荧光材料及制备技术数据集
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