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名称 : 集成电路用钨溅射靶材制备技术的研究进展
英文名称 : Research progress of tungsten sputtering target preparation technology for integrated circuits
材料 : 745
委托单位 : 厦门虹鹭钨钼工业有限公司
实验单位 : 厦门虹鹭钨钼工业有限公司
实验方法 : 冷等静压压型、烧结、热等静压、热轧、退火、机加工来制备钼靶材
实验设备 : 热等静压机
实验条件 : 真空下热等静压
说明 :

主要归纳了钨靶材主要的制备手段(以热等静压和热轧为主的各种热机械工艺的组合),并分析了各工艺路径的特点,最后预测了钨靶材制备技术的发展趋势,认为进一步控制钨靶材制备过程中的晶粒尺寸和降低钨薄膜的电阻率将成为未来重要的研究内容。

英文说明 :

This paper mainly summarizes the main preparation methods of tungsten target (the combination of various thermomechanical processes dominated by hot isostatic pressing and hot rolling), analyzes the characteristics of each process path, and finally predicts the development trend of tungsten target preparation technology. It is considered that further controlling the grain size and reducing the resistivity of tungsten film will become important research contents in the future.

数据来源 : 学术期刊
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重点项目名称 : 大尺寸高纯稀有金属制品制备技术-超高纯稀有金属材料精密制备技术数据集

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