名称 : 不同C靶功率下薄膜的磨痕深度及曲线
英文名称 : Grinding depth and curves of thin films under different C target powers.
材料 : 2164
委托单位 : 西安工业大学
实验单位 : 西安工业大学
实验方法 : 白光干涉
实验设备 : 白光干涉仪
实验条件 : 无条件
说明 : 本数据描述了在不同的C靶功率下溅射的高熵氮化物薄膜的磨痕深度的白光干涉图样以及曲线。
英文说明 : This data describes the white light interferograms and curves of the grinding depth of high-entropy nitride films sputtered under different C target powers.
数据来源 : 分析测试报告
重点项目名称 : 离子轰击条件下反应磁控沉积高熵合金氮化物薄膜技术研究与开发
项目所属数据集 : 2022YFE0122900分析测试报告数据集