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名称 : 不同C靶功率、温度、负偏压下薄膜的膜层厚度
英文名称 : Film thickness under different C target powers, temperatures, and negative bias voltages.
材料 : 2164
委托单位 : 西安工业大学
实验单位 : 西安工业大学
实验方法 : SEM
实验设备 : 扫描电子显微镜
实验条件 : 真空条件
说明 :

本数据描述了在不同的C靶功率、温度以及负偏压下溅射的高熵氮化物薄膜的膜层厚度。

英文说明 :

This data describes the film thickness of high-entropy nitride films sputtered under different C target powers, temperatures, and negative bias voltages.

数据来源 : 分析测试报告
附件下载
重点项目名称 : 离子轰击条件下反应磁控沉积高熵合金氮化物薄膜技术研究与开发
项目所属数据集 : 2022YFE0122900分析测试报告数据集
材料
委托单位
实验单位
实验方法
实验设备
实验条件
数据来源
重点项目名称
项目所属数据集
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