名称 : 不同C靶功率、温度、负偏压下薄膜的膜基结合力
英文名称 : Film-substrate adhesion of thin films under different C target powers
材料 : 2164
委托单位 : 西安工业大学
实验单位 : 西安工业大学
实验方法 : 纳米划痕法
实验设备 : 纳米划痕仪
实验条件 : 无条件
说明 : 本数据描述了在不同的C靶功率、温度以及负偏压下溅射的高熵氮化物薄膜的膜基结合力。
英文说明 : This data describes the film-substrate adhesion of high-entropy nitride films sputtered under different C target powers, temperatures, and negative bias voltages.
数据来源 : 分析测试报告
重点项目名称 : 离子轰击条件下反应磁控沉积高熵合金氮化物薄膜技术研究与开发
项目所属数据集 : 2022YFE0122900分析测试报告数据集