名称 : 不同C靶功率、温度、负偏压溅射下薄膜的各元素含量
英文名称 : Elemental composition of thin films sputtered at different C target powers.
材料 : 2164
委托单位 : 西安工业大学
实验单位 : 西安工业大学
实验方法 : EDS
实验设备 : EDS 分析仪
实验条件 : 真空
说明 : 本数据描绘了在不同C靶功率、不同温度以及不同负偏压情况下,溅射的高熵氮化物薄膜表面各种组成元素的百分比含量曲线。
英文说明 : This data depicts the percentage composition curves of various elements on the surface of high-entropy nitride films sputtered under different C target powers, temperatures, and negative bias voltages.
数据来源 : 分析测试报告
重点项目名称 : 离子轰击条件下反应磁控沉积高熵合金氮化物薄膜技术研究与开发
项目所属数据集 : 2022YFE0122900分析测试报告数据集