名称 : 80℃不同C靶功率沉积ta-C-4h
英文名称 : ta-C-4h was deposited at 80℃ at different C-target powers
材料 : 1649
委托单位 : 上海新弧源涂层技术有限公司
实验单位 : 上海新弧源涂层技术有限公司
实验方法 : 磁控溅射镀膜试验
实验设备 : 高功率脉冲磁控溅射装置
实验条件 : 高真空环境
英文说明 : ta-C-4h was deposited at 80℃ at different C-target powers
重点项目名称 : 新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1)
项目所属数据集 : 2019YFE0123900-003数据集