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名称 : 一种钼钨溅射靶材及其制备方法
英文名称 : Molybdenum tungsten sputtering target material and preparation method thereof
类型 : 发明专利
发表日期 : 2020-07-17
摘要 :

本发明公开了一种钼钨溅射靶材及其制备方法,其相对密度为99.0-99.5%,氧含量为350-600ppm,原料由纯度≥4N的三氧化钨粉和纯度≥3N的钼粉组成,且三氧化钨粉的含量为15-20wt%,余量为钼粉,该三氧化钨粉的粒径为7-10μm,该钼粉的粒径为4.5-6.5μm。本发明适用于制备平面显示器,组织均匀,无孔洞,且氧含量低。

英文摘要 :

The invention discloses a molybdenum-tungsten sputtering target material and a preparation method thereof. The relative density is 99.0-99.5%, the oxygen content is 350-600ppm, and the raw materials are tungsten trioxide powder with a purity of ≥4N and molybdenum powder with a purity of ≥3N. And the content of tungsten trioxide powder is 15-20wt%, the balance is molybdenum powder, the particle size of the tungsten trioxide powder is 7-10μm, and the particle size of the molybdenum powder is 4.5-6.5μm. The invention is suitable for preparing flat-panel displays, has uniform organization, no holes, and low oxygen content.

网址 : https://kns.cnki.net/kcms/detail/detail.aspx?dbcode=SCPD&dbname=SCPD2020&filename=CN111893442A&uniplatform=NZKPT&v=TY1hnxFco5mtEF2SUcmUPD1m7u7p_gTgBICqyKr0ezWavg12Z7H0GaPK8xmdSr4-
领域 : 粉末冶金
出版公司 : 中国国家知识产权局
出版国家 : CN
专利号 : ZL202010695438.1
是否授权 :
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重点项目名称 : 大尺寸高纯稀有金属制品制备技术-超高纯稀有金属材料精密制备技术数据集

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