弯曲次数法
应用板状试样,在特制的夹具上对试样进行一定角度的弯曲,通常是120°,反复弯曲,直至试样断裂,记下弯曲的总次数n,则氢脆系数α可表示如下:
α=(n空-n氢)/n空
式中,n空为不含(或对比试样)弯曲至断裂的次数。n氢为充氢(或含氢试样)弯曲至断裂的次数。当α为零时,说明金属度氢脆不敏感;而当α为1时,则极为敏感。
断面收缩率比较法
应用拉伸试样,在一定的拉伸速度下,测量试样断裂时的断面收缩率ψ,其氢脆系数可表示为:
式中, ψo为空白试样的断面收缩率,ψ为含氢试样的断面收缩率。α在0 ~ 1之间变化,α愈小,说明氢脆敏感性愈小。
σ-tf 法
σ-tf 法即试样在一定氢气氛(环境氢脆)或大气中(内部氢脆),给予一定的应力σ(若是在液体气氛中,还可以给予一定的电位),测量试样至断裂的时间tF.最后把实验结果描成曲线σ-tf 图。
氢渗透法
将试片作为研究电极,夹在两电池中间,其中一池注入3%NaCl +0.5%HAc的饱和硫化氢溶液。另一池注入0.2NNaOH溶液。为保证原子氢全部被吸收,需将处NaOH溶液一侧的试片表面镀镍,并施加-0.2V的恒定电位。实验开始,先往左池注入0.2NNaOH溶液;并施加-0.2V的恒定电位,对溶液进行极化。除去杂质,直至极化电流小于6 μ A/cm2,待恒定时,右室用H2S气体将空气驱除干净,并由一封闭体系注入硫化氢溶液,同时记录仪记录时间-电流曲线。
反射性同位素照相法
氢的放射性同位素照相法是一种用于直接捕获氢陷阱方法。因为氢陷阱是造成氢脆过程的重要因素,所以测得氢陷阱区的大小和密度,可直接用于氢脆敏感性及机理的评价。该方法系以氢的放射性同位素氚充入试样,当氚被各陷阱捕获时即能在覆于试样表面的感光乳胶膜上曝光而留下陷阱的痕迹。放射性同位素的样品即可做成薄膜,也可以做成复型,然后在透射式扫描电子显微镜下观察。