目的研究假交替单胞菌（Pseudoalteromonas sp.，P.sp.）对EH40/B10 电偶腐蚀的影响。方法利用电化学工作站测试EH40/B10 电偶电流、电偶电位及开路电位，利用扫描电子显微镜和激光共聚焦显微镜分别观察浸泡21 天后EH40、B10 表面的腐蚀形貌和生物膜，并且测定体系的溶解氧浓度、pH 和P.sp.的数量。结果无菌体系的电偶电流远大于有菌体系，无菌体系的理论驱动电压也大于有菌体系。从腐蚀形貌来看，无菌体系中偶接B10 比未偶接腐蚀得轻，而在有菌体系中是否偶接对EH40 和B10 的腐蚀形貌影响不大。无菌体系的溶解氧浓度远高于有菌体系，且有菌体系的pH 比无菌体系低。结论EH40/B10 在无菌体系中的电偶腐蚀速率远大于在有菌体系，主要是因为P.sp.呼吸作用消耗氧气以及在电极表面形成生物膜从而抑制了电偶腐蚀。此外，在无菌体系中偶接B10 受到了阴极保护，比未偶接腐蚀得轻，而在有菌体系中，是否偶接对EH40 和B10 的腐蚀影响不大，电偶腐蚀效应不明显。