杂原子掺杂纳米碳膜可以有效的增加微孔超级电容器赝电容；然而，晶片尺寸制备可调整厚度和均匀掺杂微孔超级电容器硫掺杂石墨烯膜仍然是一个巨大的挑战。这里，我们的展示了自顶向上的制备持续，均一和超薄硫来自三硫环六苯并蒄掺杂石墨烯片膜，得到具有标志性的电容量超速微孔超级电容器。通过喷雾覆盖SHBC膜热退火制备SG膜，在800℃下30min薄的金保护层协助下。具有12苯硫基团边缘修饰的SHBC，在作为持续的和超薄的SG膜形成的前驱体是至关重要的，具有一致的约10.0nm厚度。显著的，制备的所有固体平面SG-MSCs显示了一个高稳定性的赝电容行为，其电容量在10 mV s?1?582 F cm?3,优异的倍率性能和在超速率下2000 V s?1显著的容量，超高频率响应和0.26 ms短暂的时间常数，？1191 W cm?3超高能量密度。值得注意的是这些值是碳基MSCs迄今报道得到的最高的值。

  图1.SHBC-衍生SG膜的示意图

  图2. SG, SHBC400和SHBC膜的结构表征

  该工作已经发表于JACS上。

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