上海交通大学密西根学院朱虹老师课题组诚聘博士后一名，负责或协助团队进行金属合金体系的腐蚀性能的理论预测和腐蚀机理的研究，并在现有的高通量计算平台上开发针对腐蚀相关基础参数的高通量计算工作流。我们诚挚邀请具有理论计算、电化学背景同学的加入。
我们将与腐蚀实验团队以及世界各地的材料基因组计算研究团队开展紧密合作（ UC Berkeley, University of Michigan, UC San Diego, Georgia Tech, University of Maryland, etc）。
待遇：
1. 年收入22w+， 享受相应上海交通大学福利待遇；
2. 根据上海市博士后管理政策办理有关落户事宜；
3. 优秀者可转入专职科研序列。
要求：
1. 拥有材料、化学或相关专业的博士学位
2. 具有理论模拟计算经验或具有丰富的机器学习特别是材料研究领域的经验
4. 能够独立开展研究，在知名期刊上以第一作者发表论文
5. 在同等条件下，优先考虑具有较高编程能力的同学
感兴趣的申请者请发邮件至hong.zhu@sjtu.edu.cn；来信请附简历和可以到站的时间。课题组链接umji.sjtu.edu.cn/~hzhu。
朱虹简介
助理教授， 材料科学与工程
上海交通大学密西根联合学院
上海交通大学材料基因组联合研究中心
荣誉奖励
Shanghai Science and Technology Commission's Young Scientific Talent YANG FAN Program, 2016
NSF sponsored travel award, Materials Computation Center, University of Illinois Urbana-Champaign, 2011
Doctoral dissertation fellowship, University of Connecticut, 2011
Best Oral Paper Prize, 18th Connecticut Microelectronics and Optoelectronics Conference, 2009
Fudi Fellowship and Excellent Academic Scholarship, Shanghai Jiao Tong University, 2003-2006
科研方向
Advanced energy and electronic materials design through atomistic modeling, high throughput computations and data mining
Physical property tailoring through band structure, defect and interface engineering
发表论文
X. Li, Y. Qiao, S. Guo, Z. Xu, H. Zhu, X. Zhang, Y. Yuan, P. He, M. Ishida, and H. Zhou, “Direct Visualization of the Reversible O2?/O? Redox Process in Li-Rich Cathode Materials ”， Adv. Mater. 1705197 （2018）。
Z. Luo, H. Zhu, T. Ying, D. Li, X. Zeng, “First principles calculations on the influence of solute elements and chlorine adsorption on the anodic corrosion behavior of Mg （0001） surface”， Surface Science （2018）。
Q. Dong, Z. Luo, H. Zhu, L. Wang, T. Ying, Z. Jin, D. Li,W. Ding, X. Zeng, “Basal-plane stacking-fault energies of Mg alloys: A first-principles study of metallic alloying effects”， Journal of Materials Science & Technology （2018）。
J Wu, W Qi, Z Luo, K Liu, H Zhu, “Electronic Structure and Stability of Lead-free Hybrid Halide Perovskites: A Density Functional Theory Study”， Journal of Shanghai Jiaotong University （Science） 23 （1）， 202-208 （2018）。
Y Qin, F Li, P Tu, Y Ma, W Chen, F Shi, Q Xiang, H Shan, L Zhang, P Tao, “Ag3PO4 electrocatalyst for oxygen reduction reaction: enhancement from positive charge”， RSC Advances 8 （10）， 5382-5387 （2018）。
ZM Gibbs, F Ricci, G Li, H Zhu, K Persson, G Ceder, G Hautier, A Jain, “Effective mass and Fermi surface complexity factor from ab initio band structure calculations”， npj Computational Materials 3 （1）， 8 （2017）。
U Aydemir, JH P?hls, H Zhu, G Hautier, S Bajaj, ZM Gibbs, W Chen, G Li, “YCuTe2: a member of a new class of thermoelectric materials with CuTe4-based layered structure”， J. Mater. Chem. A 4 （7）， 2461-2472 （2016）。
H. Zhu, G. Hautier, U. Aydemir, Z. M. Gibbs, G. Li, S. Bajaj, J. P?hls, D. Broberg, W. Chen, A. Jain, M. Anne White, M. Asta, G. J. Snyder, K. Persson and G. Ceder, “Computational and experimental investigation of TmAgTe2 and XYZ2 compounds, a new group of thermoelectric materials identified by first-principles high-throughput screening”， J. Mater. Chem. C, 3, 10554-10565 （2015）。
W. G. Zeier, H. Zhu, Z. M. Gibbs, G. Ceder, W. Tremel, and G. J. Snyder, “Band convergence in the non-cubic chalcopyrite compounds Cu2MGeSe4”， J. Mater Chem C 2, 10189 （2014）。
H. Zhu, W. Sun, R. Armiento, P. Lazic, and G. Ceder, “Band structure engineering through orbital interaction for enhanced thermoelectric power factor”， Appl. Phys. Lett. 104, 082107 （2014）。
H. Zhu, G. Ramanath, and R. Ramprasad, “Interface engineering through atomic dopants in HfO2-based gate stacks”， J. Appl. Phys. 114, 114310 （2013）。
R. Ramprasad, H. Zhu, P. Rinke and M. Scheffler, “New perspective on formation energies and energy levels of point defects in non-metals”， Phys. Rev. Lett. 108, 066404 （2012）。
R. J. Mehata, Y. Zhang, H. Zhu, D. Parker, M. Belley, D. Singh, R. Ramprasad, T. Tasciuc, G. Ramanath, “Seebeck and figure of merit enhancement in nanostructured antimony telluride by antisite defect suppression through sulfur doping”， Nano. Lett. 12, 4523 （2012）。
H. Zhu, C. Tang, L. R. Fonseca and R. Ramprasad, “Recent progress in ab initio simulations of hafnia-based gate stacks”， J. Mater. Sci. 47, 7399 （2012）。
H. Zhu and R. Ramprasad, “The effective work function of metals interfaced with dielectrics: A first principles study of the Pt-HfO2 interface”， Phys. Rev. B 83, 081416 （R） （2011）。
Y. Zhong, H. Zhu, L. Shaw and R. Ramprasad, “The equilibrium morphology of WC particles-a combined ab initio and experimental study”， Acta Mater. 59, 3748 （2011）。
H. Zhu, C. Tang and R. Ramprasad, “Phase equilibria at Si-HfO2 and Pt-HfO2 interfaces from first principles thermodynamics”， Phys. Rev. B 82, 235413 （2010）。
H. Zhu, M. Aindow and R. Ramprasad, “Stability and work function of TiCxN1-x alloy surfaces: Density functional theory calculations”， Phys. Rev. B 80, 201406 （R） （2009）。