国家材料腐蚀与防护科学数据中心
National Materials Corrosion and Protection Scientific Data Center
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分析测试报告 47L DISS720 金属杂质分析 metal impurity analysis of 47L DISS720 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 47L CGA660水含量分析 water content analysis of 47L CGA660 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 47L CGA660氧含量分析 Oxygen content analysis of 47L CGA660 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 47L CGA660金属杂质分析 metal impurity analysis of 47L CGA660 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 440L Diss720R水含量分析 water content analysis of 440L Diss720 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 440L Diss720R氧含量分析 Oxygen content analysis of 440l diss720r 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 440L Diss720R金属杂质分析 metal impurity analysis of440L Diss720R 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 20kg CGA660水含量分析 20kg CGA660水含量分析 20kg cga660 water content analysis 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 20kg CGA660氧含量分析 Analysis of oxygen content of 20kg cga660 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17
分析测试报告 20kg CGA660金属杂质分析 Analysis of 20kg cga660 metal impurities 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 2022-02-17