国家材料腐蚀与防护科学数据中心
National Materials Corrosion and Protection Scientific Data Center
| 数据类型 | 关键词 | 关键词 | 来源 | 更新时间 |
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| 分析测试报告 | 47L DISS720 金属杂质分析 | metal impurity analysis of 47L DISS720 | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 47L CGA660水含量分析 | water content analysis of 47L CGA660 | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 47L CGA660氧含量分析 | Oxygen content analysis of 47L CGA660 | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 47L CGA660金属杂质分析 | metal impurity analysis of 47L CGA660 | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 440L Diss720R水含量分析 | water content analysis of 440L Diss720 | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 440L Diss720R氧含量分析 | Oxygen content analysis of 440l diss720r | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 440L Diss720R金属杂质分析 | metal impurity analysis of440L Diss720R | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 20kg CGA660水含量分析 | 20kg CGA660水含量分析 20kg cga660 water content analysis | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 20kg CGA660氧含量分析 | Analysis of oxygen content of 20kg cga660 | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |
| 分析测试报告 | 20kg CGA660金属杂质分析 | Analysis of 20kg cga660 metal impurities | 第三代半导体核心配套材料- 面向第三代半导体的超高纯度有机源及氮源的关键制备技术数据集 | 2022-02-17 |